데이터시트(Datasheet) 용어 한눈에 보기 Diode, MOS

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[ Diode 에 관련된 Parameter설명 ]

 

1. 전압관련 Parameter
VRRM  Max. Recurrent Peak Reverse Voltage
  Rectifier에 반복적으로 인가할 수 있는 역방향 전압의 최대치
VRWM  Max. Working Peak Reverse Voltage    
  VRRM과 같은 의미
VRMS  Max. RMS Voltage
  Rectifier에 반복적으로 인가할 수 있는 역방향 전압의 RMS치
VRSM  Max. Non-RepeatitiveReverse Voltage
  Rectifier가 규정된 횟수안에서 허용할수 있는 반복적인 Transient성 전압을 포함한
         최대전압, 단 반복하지않는 Transient성 전압 제외.
         Transient와 Surge는 8.3mili Sec를 기준으로 짧으면 Transient, 길면 Surge로 구분.
VBR  Breakdown Voltage
  정해진 역전류 이상이 흐를수 있는(Breakdown 현상이발생할수 있는) 최소 역전압
VDC  DC Blocking Voltage
  정해진 역전류 이상이 흐를수 있는(Breakdown 현상이발생할수 있는) 최소 역전압
VF  Forward Voltage Drop
 " Rectifier에 규정한 전류를 순방향으로 흘릴 때 Rectifier의 내부특성에 의해 감소하는
 전압치 "
VFP  Peak Forward Voltage
 " 순방향 회복 전압으로 DIODE에 순방향으로 전압이인가되기 시작했을때 초기 저항값
 에 의해
         감소되는 전압의 값. 일반 도체는 초기 정항값이 0에 가까운 반면 반도체는
 무한대에 가깝다. "

 

2. 전류관련 Parameter
IF  Forward Current
(AVG)  Diode에 순방향으로 흘릴 수 있는 평균 전류의 규정치
IFRM  Max. Repeatitive Peak Forward Current
 " 반복되는 Transient성 전류를 포함해서 순방향으로 흘릴수 있는 전류의 최대치.
 단,
         비 반복적인 과도성 전류 제외 "
IFSM  Max. Forward Surge Current
 " 반복된지 않은 Transient성 전류를 포함해서 순방향으로 흘릴수 있는 전류의 최대치
 단,
         반복적인 과도성 전류 제외 "
IR  Reverse Current
  반도체 Diode의 역방향으로 흐르는 전류
IO  Output Current
 " Diode에 순방향으로 흘릴수 있는 평균 전류의 규정치로 IF와 비슷한 의미나 50/60Hz
 Sine-wave중의
         180도 부분에 대한 평균값으로 특별히 규정.
 
         이 규정은 미국 공업 표준 규격(JEDEC, EIA) RS-286 규정에 의거 "
I2T  Fusing Rate
  단위시간당 Diode 허용 입력 전류

 

3. 온도관련 Parameter
Tj  Junction Temperature
 " 동작중 최고로 허용하는 Junction의 온도. Diode에 전류가 흐를때 P-N Junction 혹은

         Schottky Barrier Rectifier의 경우 반도체와 Barrier Metal의 접촉면상에서 발생하는
 온도.
         Diode의 안전성에 가장 중요함.
TC  Case Temperature
 " 동작중에최고로 허용하는 Diode Case의 온도.
         주로 TO-220이나 TO-3P등 Case가 방열판 역할을 해주는 Diode등에서 사용 "
TL  Lead Temperature
 " 동작중 최고로 허용하는 Diode Case의 온도.
 일반적인 Axial Lead Type의 Rectifier는 Lead를 통해
         방열을 하며 동작중 온도측정은
 Junction에서 가장 가까운 곳에서 함. "
TSTG  Storage Temperature
  허용하는 최고 보관 온도
Ta  Ambinient Temperature
 " 환경 온도 혹은 주변 온도라고 하며 Diode의 몸체나 Lead와 1inch이내 주변대기의
 온도를 말함. "
RΘjc  Resistivity of Junction to Case
  Junction과 Case간의 열전달 저항성
RΘ ja  Resistivity of Junction to Air
  Junction과 Ambinient간의 열전달 저항성
RΘjl  Resistivity of Junction to Lead
  Junction과 Lead간의 열전달 저항성

 

4. 시간관련 Parameter
TRR  Time of Reverse Recovery
 " 역방향 회복시간
 역방향 Bias 인가후 다시 순방향 Bias를 인가할 경우 Chip 내부에 유기된 전위가
         소멸되는 시간. "
TFR  Time of Forward Recovery
 " 순방향 회복시간
 Diode에 순방향으로 전압이 인가되기 시작했을 때 초기 저항값에 의해 감소되는
         전압의 값이 정상적인 VF로 회복되는 시간.

 

5. 기타 Parameter
Cj  Junction Capacitance
  전압이 인가됐을 때 P와 N층 사이에 형성된는 Capacitance값
V/us  dV/dT
  시간당 전압 변동률